Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQI12N60TU
MOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQI12N60TU
FQI12N60TU Hakkında
FQI12N60TU, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 10.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 700mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve endüstriyel elektronik sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. Gate charge değeri 54nC olup, hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 180W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700mOhm @ 5.3A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok