Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQI12N60TU
MOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQI12N60TU
FQI12N60TU Hakkında
FQI12N60TU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source gerilim derecelendirmesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 10.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama devrelerinde işlem yapabilir. 700mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-262-3 (I²PAK) paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç dönüştürme, motor kontrol, kaynak makinaları ve enerji yönetimi uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. Gate charge değeri 54 nC ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Ürün Discontinued statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 180W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700mOhm @ 5.3A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok