Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQI12N60CTU
MOSFET N-CH 600V 12A I2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQI12N60CTU
FQI12N60CTU Hakkında
FQI12N60CTU, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-262 (I2PAK) paketinde sunulan bu bileşen, 650mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge 63nC'dir. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu MOSFET, güç kaynakları, motor sürücüleri, enerji dönüştürme devrelerinde ve indüktif yükün anahtarlanmasını gerektiren uygulamalarda tercih edilir. 225W (Tc) maksimum güç tüketim kapasitesi vardır. Bileşen artık kullanım dışıdır (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2290 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 225W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok