Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQI10N60CTU
MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQI10N60C
FQI10N60CTU Hakkında
FQI10N60CTU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 9.5A sürekli drain akımına sahip bu bileşen, TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulmaktadır. 730mOhm maksimum on-state direnci ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 156W ısı dağıtma kapasitesi (Tc'de) ile endüstriyel güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yer bulur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilmesi geniş sıcaklık aralığına sahip sistemleri desteklemektedir. Bileşen kullanımdan kaldırılmış (obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2040 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 730mOhm @ 4.75A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok