Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQI10N20CTU
MOSFET N-CH 200V 9.5A I2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQI10N20CTU
FQI10N20CTU Hakkında
FQI10N20CTU, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilimi ve 9.5A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-262-3 I²Pak paketinde sunulan bu bileşen, 10V kapı sürme geriliminde 360mΩ maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük kayıplar sağlar. 26nC gate charge ve 510pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen transistör, güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri, solenoid sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 72W güç dağıtabilir ve ±30V maksimum gate gerilimi toleransındadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 510 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 72W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 4.75A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok