Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQI10N20CTU
MOSFET N-CH 200V 9.5A I2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQI10N20CTU
FQI10N20CTU Hakkında
FQI10N20CTU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V Drain-Source gerilimi ve 9.5A sürekli drenaj akımı ile çalışır. TO-262 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrolü devrelerinde ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılır. 360mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, 72W'a kadar güç yönetebilir. Gate charge değeri 26nC olup, hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Özellikle inverter, UPS ve anahtarmalı güç kaynakları tasarımlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 510 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 72W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 4.75A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok