Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQH90N10V2

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
FQH90N10V2

FQH90N10V2 Hakkında

FQH90N10V2, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 100V Drain-Source gerilim (Vdss) ile 105A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 10mΩ maximum On-Resistance değeri sayesinde düşük güç kaybında çalışır. TO-247-3 paketinde gelen bu transistör, endüstriyel güç denetimi uygulamalarında, motor sürücülerinde, anahtarlama güç kaynakları ve yüksek akımlı DC denetim devrelerinde kullanılır. 330W maksimum güç taşıma kapasitesi ile -55°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında güvenli performans sağlar. Through-hole montaj seçeneği ile PCB entegrasyonu kolaylaştırılmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 105A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 191 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6150 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 52.5A, 10V
Supplier Device Package TO-247AD
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok