Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQH8N100C
MOSFET N-CH 1000V 8A TO247-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQH8N100C
FQH8N100C Hakkında
FQH8N100C, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. 1000V drain-source voltaj desteği ile güç anahtarlama ve yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 8A sürekli dren akımı kapasitesi ile endüstriyel motor kontrol, enerji dönüştürme sistemleri, güç kaynakları ve anahtarlamalı regülatörlerde uygulanır. TO-247-3 paketindeki 1.45Ω on-resistance (Rds On) karakteristiği ile enerji kaybını minimize eder. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. 225W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile endüstriyel ve telekomünikasyon uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3220 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 225W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.45Ohm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok