Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQH35N40
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQH35N40
FQH35N40 Hakkında
FQH35N40, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 400V drain-source gerilimi ve 35A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 105mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. ±30V gate gerilim aralığında çalışan bu bileşen, endüstriyel motor kontrolü, güç kaynakları, invertörler ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. TO-247-3 paket tipi ile Through Hole montaj imkanı sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, 310W maksimum güç disipasyonuna sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 310W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 17.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AD |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok