Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQE10N20CTU
MOSFET N-CH 200V 4A TO126-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-225AA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQE10N20CTU
FQE10N20CTU Hakkında
FQE10N20CTU, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 4A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-126-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, 360mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen transistör, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve güç dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. 10V gate sürme gerilimi ile standard sürücü devrelerinden kontrol edilebilir. Maksimum 12.8W güç tüketim kapasitesiyle tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 510 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-225AA, TO-126-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 12.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-126-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok