Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQE10N20CTU
MOSFET N-CH 200V 4A TO126-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-225AA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQE10N20C
FQE10N20CTU Hakkında
FQE10N20CTU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source voltaj ve 4A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-126-3 through-hole paketinde sunulan bu bileşen, 360mOhm maksimum on-state direnci (2A, 10V'de) ile düşük ısı kaybı sağlar. ±30V gate voltaj sınırı ve 26nC gate charge özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sağlar. Enerji dönüştürme, motor kontrol ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilebilir. Bileşen kullanımdan kaldırılmış durumdadır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 510 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-225AA, TO-126-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 12.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-126-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok