Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQD9N25TM

MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FQD9N25T

FQD9N25TM Hakkında

FQD9N25TM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source voltaj ve 7.4A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPak) yüzey monte pakajında sunulan bu bileşen, 420mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalar için uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen FQD9N25TM, güç yönetimi, anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda kullanılır. 20nC gate charge ve 700pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar. Part Status Last Time Buy olup, üretim sonlandırılmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Last Time Buy
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420mOhm @ 3.7A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok