Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQD9N25TF

MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FQD9N25TF

FQD9N25TF Hakkında

FQD9N25TF, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilimi ve 7.4A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, şarj kontrol sistemleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 420mΩ on-state direnci ve 20nC gate charge karakteristikleri ile enerji verimli tasarımlar sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kararlı performans gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420mOhm @ 3.7A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok