Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD8P10TM-F085
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD8P10TM
FQD8P10TM-F085 Hakkında
FQD8P10TM-F085, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 6.6A sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, güç anahtarlama ve doğrultma uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürücü geriliminde 530mOhm on-dirençle düşük güç kaybı sağlar. TO-252 DPak paketlemesiyle yüzey montajı uygulamalarına uygun olan cihaz, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Anahtarlama hızı, enerji yönetimi ve güç dönüştürme devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 470 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 44W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 530mOhm @ 3.3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok