Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD8P10TM_F080
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD8P10
FQD8P10TM_F080 Hakkında
FQD8P10TM_F080, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj kapasitesi ve 6.6A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilir. 530mOhm (10V, 3.3A) on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Gate charge değeri 15nC ile hızlı switching performansı sunar. Bileşen, endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında verimli anahtarlama çözümü olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 470 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 44W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 530mOhm @ 3.3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok