Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD8P10TM
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD8P10TM
FQD8P10TM Hakkında
FQD8P10TM, onsemi tarafından üretilen P-channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilim kapasitesi ve 6.6A sürekli drain akımı ile çalışır. 530mOhm on-state direnç değeri ve ±30V gate gerilim aralığı ile çok yönlü anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) SMD paketi ile PCB entegrasyonu kolaylaştırılmıştır. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve güç yönetimi, motorlu cihazlar, LED sürücüleri ve endüstriyel kontrolü gerektiren devreler için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 470 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 44W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 530mOhm @ 3.3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok