Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD7P06TM_NB82050
MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD7P06TM
FQD7P06TM_NB82050 Hakkında
FQD7P06TM_NB82050, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 60V Drain-Source gerilimi, 5.4A sürekli akım kapasitesi ve 451mOhm on-resistance değerleriyle tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 8.2nC gate charge ve 295pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Motor sürücüleri, güç anahtarlama devreleri, yük kontrolü ve benzer uygulamalarda tercih edilmektedir. Bileşen üretim durdurulmuş (Obsolete) durumda olup, stok kontrol edilmesi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 295 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 28W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 451mOhm @ 2.7A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok