Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD7P06TF
MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD7P06TF
FQD7P06TF Hakkında
FQD7P06TF, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 5.4A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-252 (DPAK) paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş geriliminde 451mOhm açık durum direnci (Rds On) ile verimli anahtarlama sağlar. Çift kutuplu cihazlarda, güç yönetimi devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile +150°C işletme sıcaklığı aralığında çalışabilir. Düşük gate yükü (8.2nC) ve kontrollü giriş kapasitansi (295pF) hızlı anahtarlama performansı sağlar. NOT: Bu ürün yaşam döngüsünün sonuna ulaşmıştır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 295 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 28W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 451mOhm @ 2.7A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok