Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD7N30TM
MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD7N30TM
FQD7N30TM Hakkında
FQD7N30TM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 300V drain-source geriliminde 5.5A sürekli akım kapasitesine sahiptir. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulur. 700mΩ maksimum on-resistance değeri ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Gate kontrol gerilimi ±30V'e kadar dayanabilir. Anahtarlama hızı 17nC gate charge ve 610pF input capacitance ile belirlenmiştir. AC/DC güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 300 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 610 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700mOhm @ 2.75A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok