Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQD7N30TF

MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FQD7N30T

FQD7N30TF Hakkında

FQD7N30TF, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 300V drain-source gerilimi ve 5.5A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 700mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve doğrultucu uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 10V gate sürüş geriliminde çalışırken 17nC gate yükü ve 610pF giriş kapasitanesi değerlerine sahiptir. Maximum 2.5W (Ta) güç dağılımı kapasitesi vardır. Düşük gate kapasitanesi sayesinde hızlı anahtarlamaya uygun bir tasarıma sahiptir. Not: Bu bileşen şu anda üretim dışıdır (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 610 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700mOhm @ 2.75A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok