Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQD7N20TM

MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FQD7N20TM

FQD7N20TM Hakkında

FQD7N20TM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilim ve 5.3A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketi ile tasarlanmıştır. 690mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş direncine sahiptir. Gate charge değeri 10nC olup, hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Endüstriyel güç yönetimi, LED sürücüleri, motor kontrol devreleri ve switch mode power supply (SMPS) uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sağlar. Çıktı durumunda olan bu bileşen, arşiv ürün olarak listelenmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 690mOhm @ 2.65A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok