Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD7N10TM
MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD7N10TM
FQD7N10TM Hakkında
FQD7N10TM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 5.8A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paket ile sunulur. 350mΩ maksimum RDS(on) değeri ve 7.5nC gate charge özellikleri ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışır. DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri, güç yönetimi ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Ürün durumu obsolete olup, tedarik kısıtlı olabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 2.9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok