Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD7N10LTM
MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD7N10L
FQD7N10LTM Hakkında
FQD7N10LTM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V Drain-Source gerilimi ve 5.8A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. DPAK (TO-252-3) yüzey montajlı paket ile sunulur. Maksimum 350mΩ on-resistance değeri ile düşük kayıp uygulamalarda kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına dayanır. Anahtarlama devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrol uygulamalarında ve genel amaçlı anahtarlama görevlerinde kullanılan bu transistör, 10V gate sürüş geriliminde optimum performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 290 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 2.9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok