Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD6P25TM
MOSFET P-CH 250V 4.7A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD6P25TM
FQD6P25TM Hakkında
FQD6P25TM, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 250V drain-source gerilimi ve 4.7A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate kontrol geriliminde 1.1Ohm maksimum Rds(on) direncine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 27nC gate yükü ve 780pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar. Maksimum 2.5W (Ta) güç tüketimine karşılık gelmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 780 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 55W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1Ohm @ 2.35A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok