Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD6P25TF
MOSFET P-CH 250V 4.7A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD6P25TF
FQD6P25TF Hakkında
FQD6P25TF, onsemi tarafından üretilen P-channel MOSFET transistörüdür. 250V drain-source gerilimi ve 4.7A sürekli drain akımı ile tasarlanmış bu bileşen, DPAK (TO-252-3) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 1.1Ω on-state direnci ve 27nC gate yükü özellikleriyle düşük enerji kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Bu MOSFET, güç yönetimi devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 10V gate sürüş gerilimi ile TTL/CMOS lojik seviyeleriyle uyumludur. Maksimum 2.5W (Ta) ve 55W (Tc) güç tüketimini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 780 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 55W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1Ohm @ 2.35A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok