Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD6N60CTM
MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD6N60C
FQD6N60CTM Hakkında
FQD6N60CTM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim ve 4A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketi ile tasarlanmıştır. 2Ω maksimum Rds(on) değeri ile elektrik kaybını minimuma indirger. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir çalışma sağlar. Anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, invertörler ve yüksek voltaj DC/DC dönüştürücüler gibi endüstriyel ve tüketici uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Maksimum 80W güç yayılımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 810 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 80W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok