Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD6N50CTM_F080
MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD6N50CTM
FQD6N50CTM_F080 Hakkında
FQD6N50CTM_F080, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V Drain-Source gerilimi ve 4.5A sürekli Drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı pakette sunulur. 1.2Ω maksimum Rds(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük kayıp sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 25nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sunar. Dikkat: Bu ürün üretim dışı (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 61W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2.25A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok