Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQD6N50CTF

MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FQD6N50C

FQD6N50CTF Hakkında

FQD6N50CTF, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V Drain-Source gerilim ve 4.5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 1.2Ω maksimum Rds(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük iletim kaybı sağlar. 10V gate sürüş gerilimi ile pratik devre tasarımlarında kullanılabilir. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketi ile kompakt PCB tasarımı imkanı sunar. -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışır. Güç kaynakları, motorlu kontrol devreleri ve yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 2.5W (Ta) ve 61W (Tc) güç dağıtım kapasitesi ile orta güç seviyeleri için uygun bir tercih sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 61W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.25A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok