Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQD6N40TM

MOSFET N-CH 400V 4.2A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FQD6N40TM

FQD6N40TM Hakkında

FQD6N40TM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 400V drain-source gerilimi ve 4.2A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 1.15Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile +150°C arası sıcaklık aralığında çalışabilir. SMPS (Switched Mode Power Supply), motor kontrol, güç yönetimi ve anahtar uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 17nC gate charge ve 620pF input capacitance değerleri, hızlı anahtarlama işlemleri için uygun performans sağlar. Bileşen Obsolete durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 620 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.15Ohm @ 2.1A, 10V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok