Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD6N40CTM
MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD6N40CTM
FQD6N40CTM Hakkında
FQD6N40CTM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 400V drain-source gerilimi ve 4.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1Ohm maksimum RDS(on) değeri ve ±30V gate gerilimi aralığı ile düşük güç kaybı sağlar. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlarda yer tasarrufu yapılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, inverter devreleri, motor kontrol, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılmaya uygundur. 2.5W (Ta) ve 48W (Tc) güç dağılım kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 625 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 2.25A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok