Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD6N25TM
MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD6N25TM
FQD6N25TM Hakkında
FQD6N25TM, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilimi ve 4.4A sürekli akım kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 10V gate sürücü geriliminde 1Ohm maksimum RDS(on) değeri sunarak düşük geçiş kayıpları sağlar. Surface mount TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol devrelerinde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışma sağlayan geniş sıcaklık aralığı, endüstriyel ve ticari uygulamalarda güvenilirlik sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 2.2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok