Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQD630TM

MOSFET N-CH 200V 7A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FQD630

FQD630TM Hakkında

FQD630TM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 7A sürekli drain akımı ile tasarlanmış olan bu bileşen, DPAK (TO-252-3) paketinde sunulmaktadır. 10V kapı geriliminde 400mOhm maksimum on-direnç değeri sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışır. Güç elektronikleri uygulamalarında, anahtarlama devreleri, motor kontrol üniteleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 25nC kapı yükü ve 550pF giriş kapasitansı ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygundur. Maksimum 2.5W Ta ve 46W Tc gücü söndürebilir. Ürün durumu kullanımdan kaldırılmıştır (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 550 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 3.5A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok