Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD630TM
MOSFET N-CH 200V 7A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD630TM
FQD630TM Hakkında
FQD630TM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source voltaj kapasitesi ve 7A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) Surface Mount paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 400mΩ maksimum on-direnç (Rds On) değeri ile verimli güç transferi sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 2.5W (Ta) / 46W (Tc) güç dağıtım kapasitesine sahiptir. Gaz boşalma gerilimi 4V olup ±25V maksimum gate-source geriliminde çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 550 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 46W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok