Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQD630TF

MOSFET N-CH 200V 7A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FQD630T

FQD630TF Hakkında

FQD630TF, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilim ve 7A sürekli drain akımı kapasitesi ile medium-power uygulamalarda kullanılır. 400mΩ (10V, 3.5A) RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörler, motor kontrolü ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Dikkat: Bu ürün Obsolete (üretim durdurulmuş) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 550 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 3.5A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok