Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD630TF
MOSFET N-CH 200V 7A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD630
FQD630TF Hakkında
FQD630TF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilimi ve 7A sürekli drain akımı kapasitesiyle çalışır. 10V gate drive voltajında 400mOhm maksimum on-direnç değerine sahiptir. DPAK (TO-252) SMD paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 2.5W (Ta) ve 46W (Tc) güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. Gate yükü maksimum 25nC @ 10V olup, threshold gerilimi 4V @ 250µA'dir. Bileşen artık üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 550 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 46W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok