Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD60N03LTM
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD60N03L
FQD60N03LTM Hakkında
FQD60N03LTM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 30A sürekli drenaj akımı ve 30V drain-source gerilimi ile tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPAK) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 23mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışan cihaz, güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 46nC gate charge ve 900pF input capacitance özellikleri hızlı ve verimli anahtarlama performansı sunar. 45W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile orta güçteki uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252-3 (DPAK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok