Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD5N60CTM-WS
MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD5N60CTM
FQD5N60CTM-WS Hakkında
FQD5N60CTM-WS, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source gerilimi ve 2.8A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 2.5Ω maksimum Rds(On) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve enerji yönetimi devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Surface mount tasarımı modern elektronik tasarımlarına uygun görünümdedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 670 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 49W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 1.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok