Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD5N60CTM
MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD5N60CTM
FQD5N60CTM Hakkında
FQD5N60CTM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim ve 2.8A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) yüzey monte pakajında sunulan bu bileşen, 2.5Ω maksimum on-state direnci ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen FQD5N60CTM, güç dönüştürücüleri, şarj devreleri, motor sürücüleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi endüstriyel elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 10V gate sürücü gerilimiyle kontrol edilebilen bileşen, minimum 670pF giriş kapasitansı ve 19nC gate yükü özellikleriyle düşük enerji kaybı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 670 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 49W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 1.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok