Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD5N50TM
MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD5N50TM
FQD5N50TM Hakkında
FQD5N50TM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source voltaj derecelendirmesi ve 3.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paket içerisinde sunulan bu bileşen, 10V gate drive voltajında 1.8Ω maksimum on-state direnci sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip FQD5N50TM, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 17nC gate charge ve düşük input capacitance özellikleri ile hızlı switching performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 610 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 1.75A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok