Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD5N50TF
MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD5N50TF
FQD5N50TF Hakkında
FQD5N50TF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V Drain-Source gerilim (Vdss) ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 3.5A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç anahtarlama, motor kontrolü, enerji dönüştürme devrelerinde ve elektrik yönetim sistemlerinde yer alır. TO-252 (DPak) paket tipi ve 1.8Ω maksimum RDS(on) değeri ile enerji verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, switching regülatörlerde, DC-DC konvertörlerde ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 10V gate drive voltajı ile kontrol edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 610 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 1.75A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok