Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD5N50CTM
MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD5N50C
FQD5N50CTM Hakkında
FQD5N50CTM, onsemi tarafından üretilen 500V N-Channel MOSFET transistörüdür. 4A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 1.4Ω maksimum Rds(on) değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 48W güç dağıtabilir. Gate yükü 24nC olup Vgs(th) 4V'tir. Bu MOSFET, yüksek voltaj anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve elektrik araçları gibi endüstriyel ve otomotiv sistemlerinde kullanılır. Mevcut parça statüsü obsolete olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 625 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok