Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD5N50CTM
MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD5N50C
FQD5N50CTM Hakkında
FQD5N50CTM, Rochester Electronics tarafından üretilen 500V N-Channel MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, sürekli drenaj akımı 4A ve maksimum güç tüketimi 48W (Tc) ile karakterizedir. 1.4Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, güç uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, anahtar devre tasarımları ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. ±30V maksimum gate-source gerilimi ile geniş kontrol aralığı sunar. Bileşen şu anda üretilmiyor (Obsolete) olup, stok bulunursa tedarik edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 625 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok