Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQD5N40TM

MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FQD5N40TM

FQD5N40TM Hakkında

FQD5N40TM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 400V drain-source gerilim, 3.4A sürekli dren akımı ve 1.6Ω maksimum RDS(on) değeri ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürücüler, anahtarlama güç kaynakları (SMPS), motor kontrol devreleri ve elektrik şebekeleriyle ilgili endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Ürün statüsü obsolete olup, yeni tasarımlarda yerine geçen modeller dikkate alınmalıdır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 460 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 1.7A, 10V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok