Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD5N30TM
MOSFET N-CH 300V 4.4A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD5N30TM
FQD5N30TM Hakkında
FQD5N30TM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 300V drain-source gerilimi ve 4.4A sürekli dren akımı kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu komponentin maximum 900mOhm on-resistance değeri düşük kayıp anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında endüstriyel uygulamalar, motor sürücüler, DC-DC konvertörler ve güç yönetimi devrelerine uygundur. 13nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. Bileşen obsolete statüde olup, yeni tasarımlarda yerine koyma seçenekleri dikkate alınmalıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 300 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 430 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 2.2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok