Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQD5N30TF

MOSFET N-CH 300V 4.4A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FQD5N30TF

FQD5N30TF Hakkında

FQD5N30TF, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 300V drain-source gerilimi ve 4.4A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) SMD paketinde sunulan bu transistör, switching ve amplifikasyon devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve motor kontrol sistemlerinde yer alır. 10V gate geriliminde 900mOhm on-resistance ile verimli çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Düşük gate charge (13nC @ 10V) hızlı anahtarlama özelliği sağlar. Obsolete durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 430 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 2.2A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok