Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQD5N20LTM

MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FQD5N20L

FQD5N20LTM Hakkında

FQD5N20LTM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 3.8A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPAK) yüzey montajlı pakette sunulan transistör, 1.2Ω maksimum on-direnç (10V, 1.9A'de) ile etkin enerji kullanımı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan ve 37W güç yayılımı kapasitesine sahip FQD5N20LTM, SMPS devreleri, motorlar, solenoidler ve diğer yüksek akımlı anahtar uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 325 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok