Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD5N20LTF
MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD5N20L
FQD5N20LTF Hakkında
FQD5N20LTF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V Drain-Source gerilimi ve 3.8A sürekli drenaj akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılan bir yarı iletken bileşenidir. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketi içerisinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanmaktadır. 1.2Ω maksimum Rds(on) değeri ile enerji kaybını sınırlandırır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Ürün güncel üretimde olmayıp, stok tükendiğinde yerini yeni tasarımlara bırakacak durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 325 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 37W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 1.9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok