Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQD5N15TF

MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FQD5N15TF

FQD5N15TF Hakkında

FQD5N15TF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilimi ve 4.3A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 800mOhm maksimum on-state direnci ile düşük kayıp anahtarlama özellikleri sunar. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı sayesinde endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında tercih edilir. Gate charge değeri 7nC olup, hızlı anahtarlama işlemleri için uygun karakteristiklere sahiptir. Güç MOSFET uygulamaları, DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri ve güç dağıtım sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 230 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 2.15A, 10V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok