Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD4P40TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD4P40TM
FQD4P40TM Hakkında
FQD4P40TM, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel power MOSFET transistördür. 400V drain-source voltajında 2.7A sürekli drenaj akımı sağlar. TO-252 (DPak) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 3.1Ω maksimum on-state direnci ile düşük güç kaybı özelliği gösterir. -55°C ile 150°C arasında çalışan cihaz, 50W'a kadar güç dağıtabilen bir tasarıma sahiptir. Yüksek gerilim anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 680pF input kapasitans ve 23nC gate yükü parametreleri hızlı anahtarlama karakteristiği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 680 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1Ohm @ 1.35A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok