Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD4P25TF
MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD4P25TF
FQD4P25TF Hakkında
FQD4P25TF, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilim derecelendirmesine ve 3.1A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 2.1Ω maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında kullanıma uygundur. Endüstriyel kontrolcüler, güç yönetimi devreleri ve anahtarlanmış güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. Not: Bu parça üretim dışı (obsolete) durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 420 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1Ohm @ 1.55A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok